电子计算机组成原理 学习笔记 第六章 主存储器与存储体系

August 7, 2013

存储器分类

高速缓冲存储器 主存储器 辅助存储器

随机存取存储器RAM(Random Access Memory) 只读存储器ROM(Read Only Memory) 顺序存取存储器(Sequential Access Memory) 直接存取存储器DAM(Direct Access Memory)

主存储器的主要技术指标:存储容量,存取速度,可靠性,功耗,性能价格比

主存储器的存储单元。位是存储器存储信息的最小单位。一个二进制数由若干位组成,当这个二进制数作为一个整体存入或取出时,这个数称为存储字。存放存储字或存储字节的主存空间称为存储单元或主存单元。存储单元的编号称为地址。

主存储器由存储体,地址译码驱动电路,I/O和读写电路组成。

为了解决容量、速度和价格之间的矛盾,出现了多层次的存储系统。由高速缓冲存储器、主存储器、辅助存储器构成的三级存储系统可以分为两个层次。高速缓冲存储器和主存之间称为Cache-主存层次,主存和辅存间称为主-辅层次。

存放一个二进制位的物理器件称为记忆单元。可以由各种材料制成,但必须满足条件:

1.有两种稳定状态 2.在外部信息的激励下,两种稳定状态可以被无限次写入 3.在外部信号的激励下,能读出两种稳定状态。

MOS型存储器分为静态RAM(Static RAM)和动态RAM(Dynamic RAM)

动态RAM的刷新。为了维持MOS型动态记忆单元的存储信息,每隔一定时间必须对存储体中的所有记忆单元的栅级电容补充电荷,这个过程就是刷新。

刷新方式:1.集中刷新 2.分散刷新 3.异步刷新

半导体只读存储器

分类

掩膜式ROM(MROM)它的内容由厂家在芯片的生产过程中写入,不可修改。

一次可编程ROM(PROM)一次写入后无法改变

可擦除可编程ROM(EPROM)可多次改写 紫外线擦除(UVEPROM) 点擦除(EEPROM)

Flash存储器又称闪速存储器

主存储器容量的扩展 位扩展,字扩展,字和位同时扩展

数据总线一次能并行传送的位数,称为总线的数据通路宽度。

提高存储器性能的技术 1.双端口存储器,2.并行主存储器 3.高速缓冲存储器 4.虚拟存储器

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